Подведены итоги 11-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»

ФОТОРЕПОРТАЖ>>

01-03 февраля 2017 года на физическом факультете МГУ им. М.В. Ломоносова состоялась 11-ая Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы». Мероприятие объединило более 130 ведущих ученых из России, стран СНГ, Юго-Восточной Азии и Европы, работающих в области производства приборов электроники и оптоэлектроники нового поколения. Техническим организатором конференции выступила компания ООО «ЭКСПОТРОНИКА».

Приветственное слово в адрес участников и гостей конференции произнес заведующий кафедрой полупроводников Физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова, профессор О.В. Снигирев. Также на открытии со вступительным докладом выступил основатель и идейный вдохновитель конференции, доктор физ.-мат. наук, профессор А.Э. Юнович. Он рассказал о проблемах исследований и разработок приборов на основе нитридных полупроводников и отметил, что конференция способствует взаимодействию академических и университетских лабораторий с отечественными промышленными организациями.

В ходе устных и стендовых выступлений докладчики представили результаты наиболее интересных исследований в области гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов. Российские научные группы в очередной раз продемонстрировали мировой уровень в технологиях выращивания структур и исследовании физических свойств нитридосодержащих полупроводниковых соединений, без которых невозможен дальнейший прогресс. Так, В.В. Лундин рассказал о новом методе формирования в одном реакторе графеноподобных углеродных слоев для создания отделяемых от подложек приборных структур на основе нитридов, что позволит значительно сократить затраты на изготовление. М.Л. Занавескин из НИЦ «Курчатовский Институт» представил новые технологические решения для создания СВЧ монолитных интегральных схем на основе нитридных гетероструктур диапазона до 100 ГГц и выше. Н.М. Шмидт с коллегами по ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН рассказала о многообразии и общности свойств светодиодов спектрального диапазона от ближнего ультрафиолетового до красного диапазона видимой области спектра. 

В рамках конференции состоялся круглый стол по перспективам создания собственного производства нитридных структур и приборов на их основе, а также была организована выставка продукции, имеющей отношение к III-N соединениям: исследовательского и технологического оборудования, исходных материалов и подложек, электронных приборов, модулей и конечных устройств.

По итогам мероприятия Оргкомитет готовит Решение конференции, которое будет направлено соответствующим структурам для ознакомления. Проведение конференции продолжает традицию Рабочих Совещаний, заложенную двадцать лет тому назад, и Всероссийских Конференций (2001-2015 г.), проходивших поочередно в Москве и Санкт-Петербурге.

Организаторы конференции: Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, Физико-Технический Институт имени А.Ф. Иоффе РАН, Российская Академия Наук. Поддержку мероприятию оказали РФФИ, ProChip, AIXTRON, ASM, AMETEK, SemiTeq, INTECH, CAMECA, НПП «Пульсар», ГЗ «Пульсар».

Официальным партнером конференции выступил Фонд инфраструктурных и образовательных программ (группа РОСНАНО) - один из крупнейших институтов развития инновационной инфраструктуры в России. Деятельность Фонда направлена на поддержку и развитие всех российских предприятий наноиндустрии. Совместно с партнерами Фонд создает технологические инжиниринговые компании, которые разрабатывают и внедряют оригинальные технологии для различных отраслей промышленности. Для расширения сферы применения инноваций Фонд совершенствует систему технических регламентов и стандартов.

ПОДРОБНАЯ ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ>>

ФОТОРЕПОРТАЖ>>

Технический организатор: ООО «ЭКСПОТРОНИКА».

По вопросам сотрудничества в рамках организации выставок и конференций обращаться:
Ефремова Ирина
Тел.: (495) 234-22-10 (доб. 2731)
e-mail: efremova.i@pta-expo.ru